Поделиться
В ОЭЗ Москвы выпустили первую партию энергоэффективных транзисторов для силовой электроники
ГК «Микрон», резидент особой экономической зоны «Технополис Москва», запустил в серийное производство компоненты для управления питанием в электронике промышленного назначения. Новая продукция имеет высокий экспортный потенциал, компания уже получила первые заказы от иностранных предприятий. Об этом сообщил руководитель Департамента инвестиционной и промышленной политики Москвы Александр Прохоров.
Trench MOSFET транзисторы, выпуск которых наладили в ОЭЗ, применяются в силовой электронике: в автоэлектронике, генераторах, источниках вторичного питания, контроллерах двигателей, светотехнике, промышленной электронике, телекоммуникационном оборудовании, энергетике.
«Группа компаний «Микрон» с 2015 г. является одним из ключевых резидентов ОЭЗ в составе кластера микроэлектроники. Ежегодно компания выпускает до четырех миллиардов чипов, радиочастотных меток, микроконтроллеров и других изделий. Часть продукции уходит на экспорт. Новое серийное производство отвечает всем запросам мирового рынка и позволяет значительно нарастить экспорт столичной микроэлектроники», – сказал Александр Прохоров.
Руководитель ведомства отметил, что развитию производств резидентов ОЭЗ способствуют различные преференции. Так, например, ГК «Микрон», наряду с другими резидентами доступна льготная ставка налога на прибыль, которая составляет 2%.
Полный цикл производства транзисторов реализован на собственных производственных площадях «Микрона».
«Мощности «Микрона», размещенные в ОЭЗ Москвы с развитой инфраструктурой и логистикой, позволят выпускать более 50 млн транзисторов в год. Серийное производство по данной технологии компания освоила впервые. Стоит отметить, что транзисторы будут востребованы не только на зарубежных рынках – они позволят обеспечить импортозамещение в сфере силовой электроники в России», – сказал генеральный директор ОЭЗ «Технополис Москва» Геннадий Дёгтев.
Транзисторы, освоенные «Микроном» в серийном производстве по технологии Trench MOSFET с шагом ячейки 1 мкм на кремниевых пластинах диаметром 200 мм – один из самых распространенных электронных компонентов на мировом рынке.
На сегодняшний день «Микроном» освоен в серийном производстве сдвоенный N-канальный транзистор с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20 В. Идет освоение других типономиналов по этой технологии, а также оптимизация техпроцесса для скорейшего вывода на рынок новых востребованных продуктов по доступным ценам.
«Технология Trench MOSFET позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, что открывает очень широкие возможности применения в любых приборах и устройствах силовой электроники. В частности, для управления двигателями, построения высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей. Первые заказы мы получили от партнеров из Юго-Восточной Азии. В настоящее время портфель заказов почти полностью сформирован из экспортных контрактов», – сказала директор по развитию производства «Микрона» Ирина Коротова.
Короткая ссылка
