Спецпроекты

Western Digital разработала техпроцесс пятого поколения для производства памяти 3D NAND

Интеграция Электроника

Western Digital объявила об успешном завершении разработки технологического процесса пятого поколения для производства памяти 3D NAND. Технология получила название BiCS5 и закрепила лидирующие позиции компании в производстве передовых флеш-накопителей. Благодаря использованию в процессе BiCS5 трехуровневых (TLC) и четырехуровневых (QLC) ячеек обеспечивается не только конкурентная цена, но и исключительно высокая емкость, производительность и надежность. Таким образом, новая технология идеально подходит для удовлетворения нарастающей в геометрической прогрессии потребности в обработке данных, связанной с распространением подключенных автомобилей, мобильных устройств и искусственного интеллекта.

Компания Western Digital начала опытно-промышленное производство 512-гигабитных (Гбит) чипов по технологии BiCS5 TLC. Изготовленная с использованием новой технологии продукция уже отгружается потребителям. Ожидается, что масштабное коммерческое производство по процессу BiCS5 начнется во второй половине 2020 года. Память BiCS5 TLC и BiCS5 QLC будет доступна с различной емкостью, включая 1,33 терабит (Тбит).

«В наступившем десятилетии для дальнейшего решения задач, сопряженных с растущими объемами и скоростью обработки данных, крайне необходим новый подход к масштабированию памяти 3D NAND, – сказал Стив Паак, старший вице-президент по технологиям и производству компании Western Digital. – Успешное освоение процесса BiCS5 свидетельствует о лидирующих позициях Western Digital в технологиях флеш-памяти и уверенном прогрессе в реализации плана технологического развития. Усовершенствовав нашу многоуровневую технологию „memory hole“, мы увеличили горизонтальную плотность и добавили дополнительные слои хранения данных. Это позволило существенно увеличить емкость и производительность памяти 3D NAND при сохранении привычных для наших клиентов надежности и стоимости».

В BiCS5 использован широкий спектр новых решений и производственных инноваций, что позволяет обеспечивать самую высокую плотность в линейке Western Digital и делает данный процесс самой продвинутой технологией 3D NAND в компании. Горизонтальная плотность массива ячеек была существенно увеличена за счет использования многоуровневой технологии «memory hole» второго поколения, внедрения усовершенствованного производственного процесса и проведения ряда улучшений самих ячеек памяти 3D NAND. «Горизонтальное масштабирование» и 112 слоев хранения в BiCS5 позволяют не только оптимизировать затраты, но и создать до 40% больше битов для хранения в расчете на полупроводниковую пластину по сравнению с 96-слойной технологией Western Digital BiCS4. Усовершенствование конструкции также увеличивает скорость работы, и за счет этого технология BiCS5 дает повышение производительности до 50% на задачах ввода/вывода по сравнению с BiCS4.

Процесс BiCS5 был разработан совместно с Kioxia Corporation – технологическим и производственным партнером. Изготовление продукции по новой технологии будет развернуто на производствах в Японии в городе Йоккаити, префектура Миэ, и в городе Китаками, префектура Иватэ.

Новый производственный процесс BiCS5 расширяет портфель предложений компании Western Digital в сфере технологий 3D NAND, предназначенных для информационно-емких применений в бытовой электронике, смартфонах, IoT-устройствах и ЦОДах.



Точки роста

BIM в России. Что его стимулирует, а что — тормозит

Информационное моделирование приходит в строительную отрасль.

Технология месяца

Какие трудности ждут сети 5G на предприятиях

Необходимо решить ряд вопросов,  в первую очередь — с обеспечением безопасности.