Разделы

Инвестиции и M&A Цифровизация Электроника Импортонезависимость

Крупнейший российский производитель микроэлектроники вкладывает 4,4 миллиарда в производство силовых транзисторов

ГК «Элемент» вложит 4,4 млрд руб. в выпуск силовых транзисторов на нитриде галлия на своем предприятии НИИЭТ в Воронеже, чтобы дополнить уже существующие мощности и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.

Миллиарды инвестиций

Группа компаний «Элемент», крупнейший производитель микроэлектроники в России инвестирует 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на одном из своих предприятий — НИИЭТ в Воронеже, выяснил «Коммерсант».

Плановая проектная мощность нового производства — 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год.

В проекте используется льготное финансирование, привлеченное через механизм кластерной инвестиционной платформы (КИП). Одна из целей КИП, оператором которой является Фонд развития промышленности (ФРП) — предоставление льготных кредитов российским промышленным предприятиям для реализации инвестиционных проектов по производству приоритетной продукции, как заявлено на сайте ФРП.

Производство полного цикла

Реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла, сказал представитель «Элемента».

У НИИЭТ в Воронеже должно появиться производство GaN-транзисторов полного цикла

НИИЭТ — это один из крупнейших в России вендоров электронных компонентов, в списке продукции которого находятся GaN-транзисторы на кремнии — в России их больше никто не выпускает.

Представитель «Элемента» сказал изданию, что именно наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия объясняется выбор НИИЭТ в качестве площадки для размещения кристального производства.

Нитрид галлия благодаря своим свойствам позволяет создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния.

Часть группы «Элемент»

НИИЭТ уже достаточно давно занимается модернизацией своего производства. Например, в 2016 г. он внедрил мощности по выпуску электронно-компонентной базы, а спустя пять лет модернизовал кристальное производство для выпуска сверхбольших интегральных схем (СБИС) и мощных СВЧ-транзисторов.

Осенью 2024 г. НИИЭТ запустил новую линию для сборки электронных компонентов в современных металлополимерных корпусах, строительство и оснащение которой обошлось в сумме около 790 млн руб. 616 млн руб. из них в виде льготного займа по программе «Комплектующие изделия» «Элементу» выдал ФРП.

ГК «Элемент» владеет также компанией «Микрон», которая называет себя «чипмейкером №1 в России». Группа была создана в 2019 г. путем объединения активов, принадлежавших «Ростеху» и «АФК Система». Она создавалась с целью организации единого национального центра компетенций в области микроэлектронной компонентной базы и в обеспечении технологического суверенитета России в этой области.

По итогам первого полугодия 2024 г. ГК «Элемент» отчиталась о выручке в размере 19,8 млрд руб., увеличившейся на 29% в сравнении с аналогичным периодом 2023 г. Рост доходов по основному направлению бизнеса – электронной компонентной базе – составил 32%. Чистый долг группы уменьшился на 74%, до 2,3 млрд руб.

Капитальные затраты группы за первые шесть месяцев 2024 г. достигли 5,2 млрд руб., тогда как годом ранее этот показатель находился на уровне 2,8 млрд руб.

Анна Любавина