Спецпроекты

Разработана революционная память нового типа: быстрая и «вечная»

9648
Электроника Техника
Британские ученые разработали универсальную память UltraRAM, вобравшую в себя лучшие качества DRAM- и флеш-технологий: высокую пропускную способность и энергонезависимость.

Два в одном

Исследователи из Ланкастерского Университета (Великобритания) изобрели универсальную память нового типа, которая может использоваться как в качестве постоянного хранилища, так и оперативного запоминающего устройства. Технология получила название UltraRAM. Посвященная ей статья опубликована в январском выпуске ежемесячного научного журнала IEEE Transactions on Electron Devices.

UltraRAM сочетает в себе преимущества флеш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM), которые используются в производстве широчайшего спектра электронных устройств – от смартфонов до автомобилей. С ее помощью можно добиться сопоставимой с DRAM пропускной способности при полной энергонезависимости. То есть UltraRAM работает примерно так же быстро, как и DRAM, а данные в ней сохраняются даже после отключения питания. Кроме того, если верить британским ученым, новый тип памяти в 100 раз энергоэффективнее DRAM и не отягощен какими-либо серьезными недостатками.

Однако как минимум один серьезный недостаток у UltraRAM все же имеется, отмечает издание Tomshardware, – высокая цена, во всяком случае на ранних этапах производства микросхем памяти по данной технологии, как это всегда бывает с новинками. Однако делать какие-либо выводы на этот счет было бы преждевременно, поскольку на данный момент даже не построен прототип устройства на базе UltraRAM.

Как работает UltraRAM

UltraRAM представляет собой полупроводниковую память, в которой для сохранения информации используется квантовомеханический эффект резонансного туннелирования, благодаря которому менять состояние ячейки памяти (пропуская электрон через барьер) можно очень быстро и с крайне малыми затратами энергии.

ram600.jpg
Разработана быстрая и «вечная» революционная память нового типа

Энергонезависимость UltraRAM обеспечивается применением в качестве полупроводниковых материалов арсенида индия и антимонида алюминия, позволяющих создать мощный энергетический барьер (около 2,1 эВ), который препятствует потере ячейкой электронов.

Другие перспективные технологии памяти

В ноябре 2018 г. CNews рассказывал о наработках исследовательского подразделения IBM в области управления магнитными свойствами меди. В перспективе они могут оказаться полезными при создании микросхем энергонезависимой памяти, в которых ячейка памяти «умещается» в одном атоме металла и способна хранить в несколько раз большее количество информации по сравнению с существующими аналогами.

В своей статье ученые описали методику контроля магнитных свойств ядра одиночного атома меди при помощи ядерного магнитного резонанса (ЯМР) – явления, технологии на основе которого широко используются химиками для изучения структуры вещества, а также в медицине – для проведения неинвазивного исследования внутренних органов пациентов (ЯМР-спектроскопия, МРТ – Магнитно-резонансная томография).

В августе 2019 г. Toshiba Memory анонсировала начало производства новой памяти для систем хранения (SCM – Storage Class Memory) под брендом XL-Flash. В ее основе лежит фирменная флеш-память компании – BiCS Flash 3D (3D NAND), отличающаяся одноуровневой организацией хранения бита в ячейке (SLC – Single Level Cell).

Toshiba Memory позиционирует XL-Flash как золотую середину между флеш-памятью 3D NAND и DRAM. Как утверждали в компании, новинка превосходит обычную 3D NAND по производительности, но уступает DRAM. Цена на XL-Flash также должна была стать компромиссной.



Профиль месяца

Банки должны переходить на односкоростную архитектуру

Дмитрий Гарбар

управляющий директор компании «Новая Афина»

Точки роста

На какие проекты расходуется четвертый по величине региональный ИКТ-бюджет

Игорь Никитин

министр ИТ Пермского края