Разделы

Цифровизация Электроника

Toshiba Memory Europe представила флеш-память стандарта UFS 3.0

Toshiba Memory Europe (TME) начала поставки ознакомительных образцов первых в отрасли устройств встраиваемой флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) версии 3.0 емкостью 128 ГБ. В новых устройствах используется самая современная 96-слойная 3D-память BiCS FLASH компании Toshiba. Выпускаются модули емкостью 128, 256 и 512 ГБ. Благодаря высокой скорости чтения и записи при низком энергопотреблении новые модули прекрасно подходят для таких систем, как мобильные устройства, смартфоны, планшеты, а также системы дополненной и виртуальной реальности.

Потребителям постоянно требуется дальнейшее повышение производительности и удобства работы с устройствами, и поэтому стандарт UFS непрерывно совершенствуется и развивается. Благодаря последовательному интерфейсу UFS-устройства поддерживают полнодуплексный режим, позволяющий одновременно выполнять чтение и запись данных между главным процессором и UFS-устройством. Создавая стандарт UFS 3.0, ассоциация JEDEC, мировой лидер в разработке стандартов для отрасли микроэлектроники, усовершенствовала предыдущие версии стандарта UFS, чтобы помочь проектировщикам устройств добиться значительного улучшения характеристик мобильных устройств и других подобных систем.

Новые устройства объединяют 96-слойную 3D-память BiCS FLASH и контроллер в корпусе стандарта JEDEC размером 11,5 x 13 мм. Контроллер выполняет коррекцию ошибок, нивелирование износа, трансляцию логических адресов в физические и управление поврежденными блоками, что облегчает разработку систем.

Все три устройства соответствуют требованиям стандарта JEDEC UFS версии 3.0, включая HS-GEAR4 с теоретической скоростью работы интерфейса до 11,6 Гбит в секунду на линию (23,2 Гбит/с для двух линий) и поддерживают функции предотвращения увеличения энергопотребления. Скорость последовательного чтения и записи устройства емкостью 512 ГБ увеличена примерно на 70 и 80 процентов соответственно по сравнению с устройствами Toshiba предыдущего поколения емкостью 256 ГБ.