Samsung начал выпуск 10 нм памяти 16 Гбит LPDDR4X DRAM для автомобилей

Интеграция Электроника
мобильная версия
, Текст: Владимир Бахур

Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 16-гигабитной (Гбит) памяти LPDDR4X DRAM класса 10 нм для автомобилей. Новейшая модель LPDDR4X отличается высокой производительностью и энергоэффективностью, что значительно повышает уровень теплостойкости и позволяет применять эту память в автомобилях, где часто присутствуют экстремальные условия эксплуатации.

Память DRAM класса 10 нм также позволит создать самый быстрый автомобильный интерфейс LPDDR4X на основе DRAM с самой высокой плотностью записи данных.

«Память 16 Гбит LPDDR4X DRAM — это наше самое современное автомобильное решение на данный момент, которое обеспечивает мировым производителям автомобилей уникальную надежность, стойкость, скорость, емкость и энергоэффективность, — сказал Севон Чжун, старший вице-президент подразделения маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. Компания Samsung продолжит тесное сотрудничество с производителями, которые разрабатывают разнообразные автомобильные системы, помогая им поставлять решения памяти премиум-уровня по всему миру».

Переходя на уровень выше по сравнению с памятью DRAM 20 нм «автомобильного класса 2», которая может выдерживать температуры от –40 °C до 105 °C, память Samsung 16 Гбит LPDDR4X соответствует требованиям автомобильного класса 1, но может выдерживать температуры до 125 °C. Так как этого с запасом хватает для строгих испытаний с циклическим температурным воздействием на системы от мировых автопроизводителей, память 16 Гбит LPDDR4X может успешно применяться в различных автомобильных системах в самых сложных условиях по всему миру.

Помимо надежной работы при высоких температурах, производство по современному технологическому процессу класса 10 нм делает память 16 Гбит LPDDR4X лидером с точки зрения производительности и энергоэффективности. Даже в условиях с очень высокими температурами до 125 °C, она обеспечивает скорость обработки данных 4266 Мбит/с, что на 14 % больше по сравнению с памятью 8 Гбит LPDDR4 DRAM на базе технологического процесса 20 нм, при этом энергоэффективность новой памяти выросла на 30 %.

Вместе с 256-гигабайтным (ГБ) диском встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS), о выпуске которого было объявлено в феврале, компания расширила свою линейку передовых решений памяти для будущих автомобильных систем, включив в нее память класса 10 нм 16 Гбит LPDDR4X DRAM (на рынке доступны модели с емкостью 12 Гбит, 16 Гбит, 24 Гбит и 32 Гбит).